工研院與晶圓製造龍頭台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體

工研院與晶圓製造龍頭台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體。圖/工研院提供

台積電與工研院合作開發新陣列晶片 高速低功耗僅STT-MRAM百分之一

發布於: 1 月 17 日標籤:, , , ,

工研院17日宣布,在經濟部科專計畫補助之下,工研院與台積電合作研發出的用在記憶體運算的「自旋軌道轉矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片」,搭配創新的運作架構,可達到低功耗、10奈秒高速工作,未來將可應用在高效能運算和AI、車用晶片。

AI、5G、AIoT的應用發展需要快速運算大量資料,因此追求使用速度更快、效能更穩定、更低功耗的記憶體。工研院表示,這項研發成果的論文,2023年12月已在全球微電子元件領域頂尖會議的「國際電子元件會議(IEDM)」中發表。

工研院指出,自旋軌道轉矩磁性記憶體陣列晶片的功耗,僅為自旋轉移力矩式記憶體(STT-MRAM)的1/100,工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示,這項研發成果已跳脫以往磁性隨機存取記憶體(MRAM)的應用情境,結合電路設計完成記憶體內運算技術可提升運算效能,未來使用範圍將更為廣泛。